等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法专利登记公告

专利名称：等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法

摘要：本发明提供了表面精加工等离子体加工设备部件的方法。所述的部件包括至少一个暴露到等离子体中的表面。所述的方法包括机械抛光、化学刻蚀和清洗暴露到等离子体中的表面，以便获得所希望的表面形态。部件的石英玻璃密封表面也可用所述的方法精加工。可将相同部件暴露到等离子体中的表面和密封表面精加工到彼此不同的表面形态。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210083136.4

专利申请（专利权）人：兰姆研究公司

专利发明（设计）人：M·W·柯赫尔鲍驰;J·E·道格赫缇

主权项：一种从用于等离子体加工装置的部件除去金属污染物的方法，包括：用清洗液清洗部件的表面以从表面除去金属污染物，该清洗液包含选自草酸、甲酸、乙酸、柠檬酸及其混合物中的至少一种酸，其中部件选自气体注入器、介电窗、电极、观察孔、边环、聚焦环和限制环。

专利地区：美国