标记晶圆的方法、具有标记的晶圆专利登记公告

专利名称：标记晶圆的方法、具有标记的晶圆

摘要：一种标记晶圆的方法、具有标记的晶圆，标记晶圆的方法包括：提供绝缘体上硅，绝缘体上硅包括第一半导体层、位于第一半导体层上的介质层、位于介质层上的第二半导体层；图形化第二半导体层和介质层，利用光刻和蚀刻在第二半导体层和介质层形成开口，开口定义出需要形成激光标签的区域且开口暴露出部分第一半导体层；利用激光轰击开口区域，在开口暴露出的第一半导体层的表面区域形成标记。本技术方案形成的标记清楚，方便识别，减少缺陷。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210085163.5

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：李乐

主权项：一种标记晶圆的方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括第一半导体层、位于所述第一半导体层上的介质层、位于所述介质层上的第二半导体层；图形化所述第二半导体层和介质层，在所述第二半导体层和介质层形成开口，所述开口定义出需要形成标记的区域且所述开口暴露出部分所述第一半导体层；利用激光轰击所述开口，在所述开口暴露出的第一半导体层的表面区域形成标记。

专利地区：上海