一种反应烧结碳化硅及其制作工艺专利登记公告
专利名称:一种反应烧结碳化硅及其制作工艺
摘要:一种反应烧结碳化硅,包括下列组分且各组分含量(按质量百分比计)如下:3~7%的石墨,75~85%的碳化硅,余量为树脂。一种加工反应烧结碳化硅的制作工艺,将个组分的原料置于搅拌机内,搅拌2至8小时,然后将搅拌好的原料通过压机,以每平米1.4T的压力,压制成型,再经过烘箱,220℃,保温5小时,烘干后,使用烧结炉进行烧结,以每分钟升温5℃的速度升温到1300℃,再以每分钟升温4℃的速度升温到1650℃,保温8小时,自然冷却。本发明的反应烧结碳化硅,现在密度能达到3.10g/cm3左右,硬度能达到92HRA左右
专利类型:发明专利
专利号:CN201210086928.7
专利申请(专利权)人:温州东迅密封科技有限公司
专利发明(设计)人:王茜
主权项:一种反应烧结碳化硅,其特征在于:包括下列组分且各组分含量(按质量百分比计)如下:3~7%的石墨,75~85%的碳化硅,余量为树脂。
专利地区:浙江
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。