与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法专利登记公告

专利名称：与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法

摘要：一种与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长电热绝缘材料层、相变材料层和牺牲材料层；通过光刻和干法刻蚀的方法，形成制备侧墙的台阶；淀积侧墙材料层保形覆盖样品上表面；干法回刻侧墙材料层，去除侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺度的侧墙；湿法腐蚀去除牺牲材料层；干法刻蚀相变材料层，形成相变材料的纳米线；在侧墙材料层的一条边上，制备一条抗腐蚀的电极材料层，横向跨置由牺牲材料层和侧墙材料层构造的纵向叠层纳米线结构；湿法腐蚀去除侧墙材料层；通过金属电极材料层掩膜，干法刻蚀去除电极材料层下方以外

专利类型：发明专利

专利号：CN201210088406.0

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：付英春;王晓峰;张加勇;季安;杨富华

主权项：一种与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法，该方法包括：步骤1：在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层，在该电热绝缘材料层上，依次淀积一层相变材料层和一层牺牲材料层；步骤2：在牺牲材料层上通过光刻和干法刻蚀的方法，形成制备侧墙的台阶；步骤3：在相变材料层1和牺牲材料层裸露的上表面和侧面，淀积侧墙材料层保形覆盖样品上表面；步骤4：干法回刻侧墙材料层，去除牺牲材料层及电热绝缘材料层上表面的侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺度的侧墙；步骤5：湿法腐蚀去除牺牲材料层，同时最大限度地保留纳米尺度的侧墙材料层；步骤

专利地区：北京