用于提高MCU存储性能的方法及其对应的MCU芯片专利登记公告

专利名称：用于提高MCU存储性能的方法及其对应的MCU芯片

摘要：本发明提出一种用于提高MCU存储性能的方法及其对应的新型MCU芯片，该MCU芯片包括外部存储器地址转换电路、片内地址产生逻辑、片内易失性存储器配置与控制器、片内易失性存储器、以及非易失性存储器；片内易失性存储器包括用于存储程序的程序区和用于存储数据的数据区。本发明提出的用于提高MCU存储性能的方法，同时配合相应的上电执行流程以及程序烧录方式，可以克服所提到的程序区与数据区容量固定的局限性，同时解决可擦写非易失性存储器读取性能低的不足导致程序执行效率受到影响的问题，并可提升芯片生产制造成品率，降低成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210089121.9

专利申请（专利权）人：佛山华芯微特科技有限公司

专利发明（设计）人：胡杰;张琢;张炜;孙有阳;韩智毅

主权项：一种MCU芯片，该MCU芯片包括外部存储器地址转换电路、片内地址产生逻辑、片内易失性存储器配置与控制器、片内易失性存储器、以及非易失性存储器；其特征在于，片内易失性存储器包括用于存储程序的程序区和用于存储数据的数据区；所述片内地址产生逻辑和片内易失性存储器配置与控制器通过易失性存储器地址总线通信连接，或两者一体形成于片内。

专利地区：广东