一种基于相位修正的RCS外推方法专利登记公告

专利名称：一种基于相位修正的RCS外推方法

摘要：本发明涉及一种基于相位修正的RCS外推方法，其特征在于步骤如下：在微波暗室中对参考平板进行近距RCS测试，得到参考平板的散射值Eplane_s(α)；计算参考平板的远场理论值Eplane_∞(α)；在微波暗室中对目标进行近距RCS测试，得到目标在该距离下的散射值Es(α)；计算F-1[Esi(α)]后对F-1[Esi(α)]进行傅里叶变换，得到目标的远场散射值Esi(α)。本发明方法，通过RCS近距离测试，对得到的数据做相位修正就可获得远场，这样就能在缩减了测试距离的情况下，实现RCS测试，使RCS测试更

专利类型：发明专利

专利号：CN201210089441.4

专利申请（专利权）人：西北工业大学

专利发明（设计）人：李南京;陈卫军;李瑛;刘琦;刘宁;张麟兮;郭淑霞;周扬

主权项：一种基于相位修正的RCS外推方法，其特征在于步骤如下：步骤1：在微波暗室中对参考平板进行近距RCS测试，得到参考平板的散射值Eplane_s(α)，其中α为测试方位角；步骤2：计算参考平板的远场理论值Eplane_∞(α)；其中ω分别为在测试频率下的平板散射场的传播矢量与角频率。A为散射场的矢量磁位，μ为自由空间磁导率，J为平板面电流密度，这里假设为1，R为板上的每点到测试点的距离，k为波数；步骤3：在微波暗室中对目标进行近距RCS测试，得到目标在该距离下的散射值Es(α)；步骤4：根据下式计算F?1[E

专利地区：陕西