LPCVD保养后复机方法专利登记公告

专利名称：LPCVD保养后复机方法

摘要：本发明提供一种LPCVD保养后复机方法，包括：S1：将实验片放入LPCVD设备的反应腔中，在所述实验片上沉积膜层，并测试所述实验片的膜层的实际膜厚；S2：利用一数据分析系统根据所述实验片的膜层的实际膜厚判断是否需要补正；如果不需要补正的话，所述LPCVD设备直接复机进行制品生产；如果需要补正的话，所述数据分析系统输出补正值，并根据所述补正值设定所述LPCVD设备工艺值，接着，重复步骤S1和S2，直到完成制品的生产。提高了保养复机的效率，同时也减少了因为调整所需要的实验片和反应气体等生产材料的浪费。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210093528.9

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：王硕

主权项：一种LPCVD保养后复机方法，包括：S1：将实验片放入LPCVD设备的反应腔中，在所述实验片上沉积膜层，并测试所述实验片的膜层的实际膜厚；S2：利用一数据分析系统根据所述实验片的膜层的实际膜厚判断是否需要补正；如果不需要补正的话，所述LPCVD设备直接复机进行制品生产；如果需要补正的话，所述数据分析系统输出补正值，并根据所述补正值设定所述LPCVD设备工艺值，接着，重复步骤S1和S2，直到完成制品的生产。

专利地区：上海