一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法

摘要：本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法，该种纯质碳化硅过滤膜层具有高通孔隙率、低压降、强度高、抗热冲击性能好、使用温度高的特点，制备方法易于实现，能够保证产品性能。纯质碳化硅过滤膜层的组成为纯质SiC，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μm，膜层孔隙率在25～50％之间。采用细碳化硅颗粒、硅粉、造孔剂添加剂及有机树脂配制膜层原料，采用喷涂或浸渍方法表面制备膜层，经干燥后，烧结得到纯质碳化硅膜层。本发明可在氧化气氛下使用，也可以在还原气氛下使用，耐

专利类型：发明专利

专利号：CN201210093722.7

专利申请（专利权）人：中国科学院金属研究所

专利发明（设计）人：张劲松;田冲;曹小明;杨振明

主权项：一种纯质碳化硅过滤膜层，其特征在于：纯质碳化硅过滤膜层的组成为纯质SiC，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μm，膜层孔隙率在25～50％之间。

专利地区：辽宁