一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置专利登记公告

专利名称：一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置

摘要：本发明属于太阳能电池用微晶硅薄膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该方法包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积(IBS)或离子束辅助沉积(IBAD)方法在衬底上溅射硅靶预沉积一层硅同质过渡层，所述硅同质过渡层厚度为50nm～200nm；(2)磁控溅射镀膜：采用磁控溅射在所述硅同质过渡层上沉积硅薄膜。该方法可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；该方法通过离子束磁控溅射复合镀膜的装置

专利类型：发明专利

专利号：CN201210094395.7

专利申请（专利权）人：湖南大学

专利发明（设计）人：周灵平;梁凤敏;彭坤;朱家俊;李德意;李绍禄

主权项：一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积或离子束辅助沉积方法在衬底上溅射硅靶预沉积一层硅同质过渡层，所述硅同质过渡层厚度为50nm～200nm；离子束溅射沉积是指用离子束溅射硅靶材沉积硅薄膜的方法，离子束辅助沉积是指用离子束溅射沉积硅薄膜的同时，用中能离子束对硅薄膜进行辅助轰击的方法；(2)磁控溅射镀膜：采用磁控溅射在所述硅同质过渡层上沉积硅薄膜：具体控制参数为：衬底温度为300℃～500℃，氢气体积浓度：50％～95％，溅射工作气压0.5P

专利地区：湖南