一种原位反应制备镥硅氧氮陶瓷材料的方法专利登记公告

专利名称：一种原位反应制备镥硅氧氮陶瓷材料的方法

摘要：本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域，具体地说是一种原位反应制备镥硅氧氮(Lu4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。以氧化镥粉(Lu2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料，原位反应合成单相的Lu4Si2O7N2粉体陶瓷材料，原料粉的摩尔比为Lu2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。本发明可以在较低温度下，较短的时间内制备得到高纯度镥硅氧氮(Lu4Si2O7N2)陶瓷粉体或者块体材料，所制备出的Lu4Si2O7N2陶瓷块体材料具有致

专利类型：发明专利

专利号：CN201210097702.7

专利申请（专利权）人：中国科学院金属研究所

专利发明（设计）人：王京阳;孙鲁超

主权项：一种原位反应制备镥硅氧氮陶瓷材料的方法，其特征在于，以氧化镥粉、氧化硅粉和氮化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料，原位反应合成单相的Lu4Si2O7N2粉体陶瓷材料，原料粉的摩尔比为Lu2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8?1.2)∶(0.8?1.2)。

专利地区：辽宁