MEMS器件专利登记公告

专利名称：MEMS器件

摘要：本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定

专利类型：发明专利

专利号：CN201210098100.3

专利申请（专利权）人：精工爱普生株式会社

专利发明（设计）人：稻叶正吾;佐藤彰;渡边徹;森岳志

主权项：一种MEMS器件，其特征在于，该MEMS器件具有：半导体基板；固定电极，其以固定在所述半导体基板上的状态设置，并具有多晶硅；层间绝缘膜，其形成在所述半导体基板和所述固定电极上，并且在所述固定电极上的一部分具有开口部；可动电极，其设置于所述开口部，并与所述固定电极的露出于所述开口部的部分隔开预定间隙以可动状态设置；和配线层，其形成在所述层间绝缘膜上，并与所述固定电极电连接，在位于所述层间绝缘膜之下的所述固定电极的一部分上，形成有硅化物层，且在俯视时，在与所述开口部重叠的所述固定电极上没有形成所述硅化物层。

专利地区：日本