一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法专利登记公告

专利名称：一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法

摘要：本发明属于导电薄膜技术领域，具体为一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法。本发明通过射频或微波放电激发方式在真空室中产生大体积含氧、或含氯、或含氟强电负性元素的等离子体，把镀有ITO薄膜的玻璃片置于浸没在等离子体中的金属基片台上；将高电压负脉冲加在基片台上，使ITO薄膜与等离子体之间形成负电压鞘层，氧离子在鞘层内被电场加速向ITO表面运动，高能氧离子注入到ITO表面并留在ITO表层内，提高ITO薄膜表面O/(Sn+In)原子比例，从而提高ITO表面功函数。由本发明修饰的ITO薄膜应用作有机电致

专利类型：发明专利

专利号：CN201210098267.X

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：区琼荣;梁荣庆;何龙;高欢忠

主权项：一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法，其特征在于具体步骤为：采用射频或微波放电激发方式在真空室中产生大体积含氧、或含氯、或含氟强电负性元素的等离子体，把镀有ITO薄膜的玻璃片置于浸没在等离子体中的金属基片台上，ITO薄膜面向等离子体，基片台与真空腔体及地绝缘；连接高电压负脉冲方波电源，将高电压负脉冲加在金属基片台上，使ITO薄膜与等离子体之间形成负电压鞘层，氧离子在鞘层内被电场加速向ITO表面运动，高能氧离子注入到ITO表面并留在ITO表层内，提高ITO薄膜表面O/(Sn+In)原子比例，从

专利地区：上海