高密度氧化铌溅射靶材的制备方法专利登记公告

专利名称：高密度氧化铌溅射靶材的制备方法

摘要：本发明公开一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法，原料为高纯度氧化铌粉末，其纯度大于99.99%。其制备过程按以下步骤完成：氧化铌粉末预处理；真空热压；靶材的机械加工。其中，真空热压的工艺条件为：在真空条件下，1150～1300℃保温，2～4h，保压压力10-12MPa。按本发明制备的氧化铌靶材，其密度达到4.50g/cm3以上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210099055.3

专利申请（专利权）人：西北稀有金属材料研究院

专利发明（设计）人：扈百直;孙本双;刘孝宁;征卫星;马文卫

主权项：?一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法，原料为高纯度氧化铌粉末，其纯度大于99.99%；其制备过程按以下步骤完成：A）?氧化铌粉末预处理；B)??真空热压；C)??靶材的机械加工。

专利地区：宁夏