带辅助线条的双层衰减相移接触孔掩模衍射场的计算方法专利登记公告

专利名称：带辅助线条的双层衰减相移接触孔掩模衍射场的计算方法

摘要：本发明提供一种带SRAF的双层衰减相移接触孔掩模衍射场的计算方法，具体步骤为：步骤一、设定x方向上保留的谐波数为Lx，设定y方向上保留的谐波数为Ly；步骤二、根据布洛开条件，求解第(m，n)个衍射级次的波矢量沿着切向、法向的分量；步骤三、针对双层衰减相移接触孔掩模的每一个二维光栅层，对其介电常数和介电常数倒数分别进行Fourier级数展开；步骤四、根据步骤二中及步骤三中计算出的参数求解每层光栅的特征矩阵，根据电磁场切向连续边界条件，利用增强透射矩阵法求解出射区域的衍射场，采用本发明能快速求解得到带辅助线条

专利类型：发明专利

专利号：CN201210099581.X

专利申请（专利权）人：北京理工大学

专利发明（设计）人：李艳秋;杨亮

主权项：一种带SRAF的双层衰减相移接触孔掩模衍射场的计算方法，其特征在于，具体步骤为：步骤一、设定x方向上保留的谐波数为Lx，设定y方向上保留的谐波数为Ly；步骤二、根据布洛开条件，求解第(m，n)个衍射级次的波矢量沿着切向、法向的分量，其中m为取遍[?Dx，Dx]之间的整数，n为取遍[?Dy，Dy]之间的整数，Lx＝2Dx+1，Ly＝2Dy+1；波矢量沿着切向即x、y轴的分量αm、βm为 <

专利地区：北京