一种LED晶片微焊共晶方法专利登记公告

专利名称：一种LED晶片微焊共晶方法

摘要：一种LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，包括筛选配比合适的银锡焊料；预热基片或底座；焊料涂布，将银锡焊料涂布于基片支架上，用于固定LED晶片位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；给基片蒸镀上一层厚度为1μm以上的保护层，所述保护层为银、金或其它合金；在共晶温度下将芯片焊接到基片上；在直接加热、热超声或对点加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210100565.8

专利申请（专利权）人：深圳市因沃客科技有限公司

专利发明（设计）人：罗会才;王鸿;谌孙佐;陈小宇;胡霞军

主权项：一种LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，包括筛选配比合适的银锡焊料；预热基片或底座；焊料涂布，将银锡焊料涂布于基片支架上，用于固定LED晶片位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；给基片蒸镀上一层厚度为1μm以上的保护层，所述保护层为银、金或其它合金；在共晶温度下将芯片焊接到基片上；在直接加热、热超声或对点加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。

专利地区：广东