一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法

摘要：本发明涉及一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，属半导体薄膜材料领域。采用以下步骤实施：A)30℃～500℃在衬底上生长一层200～500nm的Ge填埋层；B)30℃～500℃在上述Ge填埋层上生长非晶Si层；C)在真空度为1×10-2～9×10-2帕下，将上述具有Ge填埋层的非晶Si薄膜密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火至少2小时，即可获得多晶Si薄膜。在低温度下制备多晶Si薄膜，工艺简单，是一种实用于大规模工业生产的多晶Si薄膜材料的晶化方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210105235.8

专利申请（专利权）人：云南师范大学

专利发明（设计）人：邓书康;康昆勇;孙启利;申兰先;郝瑞亭;杨培志;李明

主权项：一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，采用以下步骤实现：A)?30℃～500℃在衬底上生长一层200～500nm的锗填埋层；B)?30℃～500℃在上述锗填埋层上生长非晶硅层；C)?在真空度为1×10?2～9×10?2帕下，将上述具有锗填埋层的非晶硅薄膜密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火至少2小时，即可获得多晶硅薄膜。

专利地区：云南