量子点级联激光器专利登记公告

专利名称：量子点级联激光器

摘要：本发明公开了一种量子点级联激光器，包括下波导、量子点有源区层以及上波导，所述量子点有源区层是多周期级联的，其每个周期包括：多个量子阱/垒对，用于对其能带结构进行调整，以提供电子的量子输运通道；量子点插层，用于实现量子点参与子带激射。并且，所述量子阱/垒对的量子阱材料为InxGa1-xAs，0＜x＜1；所述量子阱/垒对的量子垒材料为InyAl1-yAs，0＜y＜1。本发明通过在量子点有源区层中适当位置引入多个量子点插层使量子点激光器的性能指标，如功率转化效率、特征温度以及阈值电流密度等将得到很大的改善。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210105753.X

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：刘峰奇;卓宁;李路;邵烨;刘俊岐;张锦川;王利军;王占国

主权项：一种量子点级联激光器，自下而上依次包括下波导、量子点有源区层以及上波导，其特征在于：所述量子点有源区层是多周期级联的，其每个周期包括：多个量子阱/垒对，用于对其能带结构进行调整，以提供电子的量子输运通道；以及量子点插层，用于提供电子辐射跃迁的末态，以实现量子点参与子带激射。

专利地区：北京