基于复合左右手折叠基片集成波导的多层双通带耦合器专利登记公告

专利名称：基于复合左右手折叠基片集成波导的多层双通带耦合器

摘要：本发明公开了一种基于复合左右手折叠基片集成波导的多层双通带耦合器，是一种利用两个复合左右手折叠基片集成波导和公共金属层上蚀刻槽缝进行耦合来实现的双通带耦合器；复合左右手折叠基片集成波导由折叠基片集成波导和其中间金属层上蚀刻的交指槽缝组成；四个相同的共面波导结构两侧有一排金属化通孔，并通过盲孔与带状线连接形成输入输出端口；耦合器采用了折叠基片集成波导技术和宽平面耦合方法，具有结构紧凑、空间利用率高等特点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210106075.9

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：张理正;周亮;姜伟;尹文言;毛军发;彭宏利

主权项：一种基于复合左右手折叠基片集成波导的多层双通带耦合器，其特征在于所述耦合器为多层结构，自上至下分别为第一层金属层(1)、第一层介质层(2)、第二层金属层(3)、第二层介质层(4)、第三层金属层(5)、第三层介质层(6)、第四层金属层(7)、第四层介质层(8)、第五层金属层(9)；在第一层介质层(2)、第二层介质层(4)、第三层介质层(6)、第四层介质层(8)上设置有多个第一金属化通孔(10)、以及第二金属化通孔(11)，第一金属化通孔(10)连接第一层金属层(1)、第二层金属层(3)、第三层金属层(5)、

专利地区：上海