一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法专利登记公告

专利名称：一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法

摘要：一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法，其步骤包括：⑴对Si单晶基体样品进行过渡族金属离子注入；⑵在保护气氛中将上述步骤⑴得到的样品快速热退火；⑶对上述步骤⑵得到的样品进行零族离子注入。其优点是：利用本发明可以获得居里温度（Tc）高于室温的Si基稀磁半导体材料，且该Si基稀磁半导体材料的饱和磁化强度有大幅提升，其饱和磁化强度为单束注入法获得的Si基稀磁半导体的饱和磁化强度的2.5-6倍。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210106104.1

专利申请（专利权）人：武汉大学

专利发明（设计）人：郭立平;陈济鸿;李铁成;罗凤凤

主权项：一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：⑴对Si单晶基体样品进行过渡族金属离子注入；⑵在保护气氛中将上述步骤⑴得到的样品快速热退火；⑶对上述步骤⑵得到的样品进行零族离子注入。

专利地区：湖北