一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法专利登记公告

专利名称：一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法

摘要：一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)薄膜在硅(Si)中引入应变形成应变硅(Si)，并利用浅槽隔离区(缩写为STI)记忆应变硅(Si)中的应变，然后去掉氮化硅(SiN)薄膜，最后在该应变硅(Si)上外延锗(Ge)组分较高的锗硅(SiGe)层作为沟道，在上制作晶体管。本发明工艺简单，与传统的MOS工艺兼容，成本较低，沟道中Ge组分提高明显，不仅适用于90内米工艺节点

专利类型：发明专利

专利号：CN201210107600.9

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：王向展;王微;曾庆平;罗谦;郑良辰;刘斌;甘程

主权项：一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法，其特征在于：在制作PMOS期间的硅(Si)衬底上在外延锗硅(SiGe)之前，先通过氮化硅(SiN)薄膜在Si中引入张应变，形成具有张应力的应变硅，并利用浅槽隔离区(STI)记忆应变硅中少量的张应变，然后去掉SiN薄膜，最后在该应变硅上外延锗(Ge)组分较高的SiGe层作为沟道，在其上制作PMOS器件，制备的步骤如下：步骤一：选用Si衬底，并清洗干净；步骤二：在Si衬底(1)上淀积SiO2层(2)和SiN层(3)，则在Si衬底(1)中引入少量张应力，形成张应变S

专利地区：四川