背接触硅太阳能电池的制备方法专利登记公告

专利名称：背接触硅太阳能电池的制备方法

摘要：本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结；(3)去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4)在硅片受光面内的PN结和背光面孔金属电极区域生长重掺杂层；(5)采用激光处理重掺杂层得到局部重掺杂发射极，同时采用激光在硅片上开孔；(6)在上述硅片上制备受光金属电极、孔金属电极和背光金属电极；(7)在背光面印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。本发明成功将选择性发射极结构与背接触电池相结合，从而大大

专利类型：发明专利

专利号：CN201210108283.2

专利申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司

专利发明（设计）人：张凤;王栩生;章灵军

主权项：一种背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?在硅片的受光面进行制绒；(2)?在硅片的受光面扩散制结；(3)?去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4)?在硅片受光面内的PN结和背光面孔金属电极区域生长重掺杂层；(5)?采用激光处理重掺杂层得到局部重掺杂发射极，同时采用激光在硅片上开孔；(6)?在上述硅片上制备受光金属电极、孔金属电极和背光金属电极；(7)?在背光面印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。

专利地区：江苏