一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法专利登记公告

专利名称：一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法

摘要：本发明公开了一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其中，包括下列步骤：提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底；在所述PMOS晶体管和所述控制管的表面覆盖一层光刻胶；对所述NMOS晶体管进行源漏碳注入工艺；对所述半导体衬底的源极和漏极进行退火工艺处理。本发明在不增加现有工艺步骤同时，增大了控制管的等效电阻，进而在读取过程中，降低了节点的电位，从而提高了随机存储器的读出冗余度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210109588.5

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底；在所述PMOS晶体管和所述控制管的表面覆盖一层光刻胶；对所述NMOS晶体管进行源漏碳注入工艺；对所述半导体衬底的源极和漏极进行退火工艺处理。

专利地区：上海