一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法专利登记公告

专利名称：一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法

摘要：本发明公开了一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其中，包括下列步骤：提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底；在所述半导体器件表面淀积一层氮化物薄膜层；在所述PMOS晶体管和所述控制管表面的所述氮化物薄膜层进行光刻工艺，去除所述氮化物薄膜层；本发明在不增加现有工艺步骤同时，增大了控制管的等效电阻，进而在读取过程中，降低了静态随机存储器内部节点的电位，从而提高了随机存储器的读出冗余度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210109590.2

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底，并在此过程中对所述NMOS晶体管、PMOS晶体管和所述控制管进行源、漏注入工艺；在所述NMOS晶体管、PMOS晶体管、控制管以及半导体衬底表面淀积一层氮化物薄膜层；对所述PMOS晶体管和所述控制管的表面的所述氮化物薄膜层进行光刻工艺，移除所述PMOS晶体管和所述控制管表面的氮化物薄膜层；对所述NMOS晶体管、所述PMOS晶体管以及所述控制管的源极和漏极进行退火工艺处理。

专利地区：上海