一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器专利登记公告

专利名称：一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器

摘要：本发明公开了一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器。该混频器包括以下几个部分：一对NMOS管和一对PMOS管组成的跨导级、两对NMOS管组成的开关级以及电阻构成的负载级。该混频器跨导级采用自偏置的互补跨导结构，并与开关级构成折叠结构，大大降低了电源电压；电路中所有的MOS管衬底均加有固定偏置电压，减小了MOS管的阈值电压，实现了超低电压超低功耗的设计；并采用电流复用技术，改善了电路的噪声性能，并提高了其转换增益和线性度。本发明可用于深亚微米射频CMOS集成电路的应用，可广泛应用于航空航天领域的电子系统中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210109766.4

专利申请（专利权）人：北京航空航天大学

专利发明（设计）人：张晓林;申晶

主权项：一种基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器，其特征在于，包括自偏置的互补跨导级、与跨导级构成折叠结构的开关级和电阻构成的负载级。

专利地区：北京