一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件专利登记公告

专利名称：一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件

摘要：本发明提供一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件，负磁导率超材料包括至少一层具有负磁导率的超材料层，超材料层包括基板以及周期性阵列排布在基板两侧的多个第一人造微结构和第二人造微结构，第一人造微结构由四个呈环形阵列的第一人造微结构单元组成，第二人造微结构由四个呈环形阵列的第二人造微结构单元组成，第一人造微结构单元和第二人造微结构单元是开口在一角的开口谐振环结构，第二人造微结构单元的位置与第一人造微结构单元一一对应，第二人造微结构单元的形状为第一人造微结构单元的形状绕环形阵列的几何中心旋转180度得到的形状

专利类型：发明专利

专利号：CN201210110055.9

专利申请（专利权）人：深圳光启创新技术有限公司

专利发明（设计）人：刘若鹏;栾琳;郭洁;余铨强

主权项：一种负磁导率超材料，包括至少一层具有负磁导率的超材料层，所述超材料层包括基板以及周期性阵列排布在基板两侧的多个第一人造微结构和第二人造微结构，其特征在于，所述第一人造微结构由四个呈环形阵列的第一人造微结构单元组成，所述第二人造微结构由四个呈环形阵列的第二人造微结构单元组成，所述第一人造微结构单元和第二人造微结构单元是开口在一角的开口谐振环结构，所述第二人造微结构单元的位置与第一人造微结构单元一一对应，所述第二人造微结构单元的形状为所述第一人造微结构单元的形状绕所述环形阵列的几何中心旋转180度得到的形状。

专利地区：广东