一类并四苯衍生物场效应晶体管材料及其制备方法专利登记公告

专利名称：一类并四苯衍生物场效应晶体管材料及其制备方法

摘要：本发明公开了一类并四苯衍生物场效应晶体管材料及其制备方法，其结构可由通式(Ⅰ)表示：其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基；R是烷基、烷氧基、烷硫基等取代基中的一种。本发明的并四苯衍生物可以通过Sonogashira偶联反应和Bergman环化反应合成。本发明的并四苯衍生物具有较高的稳定性和溶解性，而且可以提高OFETs器件的迁移率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210113797.7

专利申请（专利权）人：南京邮电大学

专利发明（设计）人：田波;黄维;傅妮娜;赵保敏;黄红艳

主权项：一类并四苯衍生物场效应晶体管材料，其特征在于该材料为下述式(Ⅰ)通式的化合物：其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基；R是烷基、烷氧基或烷硫基中的一种。2012101137977100001139324dest_path_image001.jpg

专利地区：江苏