稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法专利登记公告
专利名称：稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法
摘要：本发明涉及一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法，其化学式为RE3+:PbClF，其中稀土离子RE3+选自Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Pr3+、Ce3+和Er3+中的至少一种。本发明提供的稀土掺杂的具有无序阴离子配位、低对称性的氟氯化物激光晶体。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210114614.3
专利申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
专利发明（设计）人：王庆国;徐军;苏良碧;郑丽和;李红军;徐晓东
主权项：一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体，其化学式为RE3+:PbClF，其中稀土离子RE3+选自Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Pr3+、Ce3+和Er3+中的至少一种。
专利地区：上海
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