一种铸造大晶粒硅锭的方法专利登记公告

专利名称：一种铸造大晶粒硅锭的方法

摘要：本发明公开了一种利用定向凝固生长法铸造大晶粒硅锭的方法，主要包含以下步骤：(1)将按一定晶向切割的单晶硅板块作为籽晶铺在石英坩埚的底层；(2)在籽晶上面装填适量的多晶硅硅料和掺杂元素；(3)将装有上述原料的坩埚投入多晶炉中，抽真空并加热，使上部的硅料熔化。熔化后期单晶板块开始熔化时，通过调整隔热笼升起高度，控制坩埚底部的温度，使籽晶部分熔化；(4)进入长晶程序，通过控制加热器的功率和提升隔热笼，形成垂直的温度梯度，使硅晶体沿着未完全熔化的单晶硅板块的方向生长，经过退火和冷却工序得到大晶粒的多晶硅晶锭。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210118729.X

专利申请（专利权）人：镇江环太硅科技有限公司

专利发明（设计）人：司荣进;袁志钟;王禄堡

主权项：一种铸造大晶粒硅锭的方法，其特征在于，主要包含以下步骤：(1)将按[100]晶向切割的单晶硅板块作为籽晶铺设在石英坩埚的底层；(2)在籽晶上面装填多晶硅料和掺杂元素；(3)将装有所述原料的坩埚投入多晶炉中，抽真空加热，使籽晶上部的多晶硅料熔化，到多晶硅料熔化后期单晶硅板块开始熔化时，通过控制坩埚底部的温度，使籽晶部分熔化。(4)进入长晶程序，控制加热器的功率，从坩埚底部形成垂直的温度梯度，使硅晶体沿着未完全熔化的单晶硅板块的方向生长；(5)长晶完成后，再经过退火和冷却工序得到大晶粒硅锭。

专利地区：江苏