在介孔二氧化钛骨架中嵌入硒化镉量子点的方法专利登记公告

专利名称：在介孔二氧化钛骨架中嵌入硒化镉量子点的方法

摘要：本发明涉及了材料领域，公开了一种在介孔二氧化钛骨架中嵌入硒化镉量子点的方法，是利用溶剂挥发诱导自组装技术，步骤包括：先配制含有钛源、镉源和表面活性剂的前驱体溶液，接着通过陈化得到凝胶，然后通过焙烧除去样品中的有机物，最后通过与含有硒源的溶液离子交换处理后，即可得到介孔二氧化钛骨架中嵌入的硒化镉量子点。所得产品具有很好的结晶度，且具有明显的晶格及可见光效应。制备过程简单、操作简便、条件温和，适合于用来制备表面钝化、单分散、形貌规则的CdSe量子点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210121380.5

专利申请（专利权）人：上海师范大学

专利发明（设计）人：李和兴;张鹏;李贵生;张碟青

主权项：一种在介孔二氧化钛骨架中嵌入硒化镉量子点的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将钛源和表面活性剂溶于溶剂A中，再加入镉源后得到溶液B；所述钛源中的钛元素与镉源中的镉元素摩尔比为15∶1～200∶1；所述的表面活性剂为嵌段共聚物；(2)将溶液B陈化，得到凝胶；(3)将陈化后凝胶在350～500℃焙烧3～6hr；(4)将焙烧后的样品与含有硒源的溶液进行离子交换，并洗涤干燥。

专利地区：上海