半导体陶瓷组合物及其制备方法专利登记公告

专利名称：半导体陶瓷组合物及其制备方法

摘要：本发明的目的是提供其中BaTiO3的一部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组合物，其可在煅烧步骤中抑制Bi的蒸发，通过防止Bi-Na的组成改变抑制二次相的形成，进一步降低室温下电阻，和抑制居里温度的发散，以及提供制备其的方法。通过分别制备(BaQ)TiO3的组合物(Q是半导体掺杂物)和(BiNa)TiO3的组合物，并在相对高的温度下煅烧(BaQ)TiO3的组合物和在相对低的温度下煅烧(BiNa)TiO3的组合物，以从而在它们各自最佳的温度下煅烧所述组合物，在(BiNa)TiO3的组合物中Bi的蒸发可以被抑

专利类型：发明专利

专利号：CN201210122740.3

专利申请（专利权）人：日立金属株式会社

专利发明（设计）人：岛田武司;寺尾公一;田路和也

主权项：一种半导体陶瓷组合物，其可通过形成和烧结(BaR)TiO3(其中R是半导体掺杂物并且是选自La、Dy、Eu、Gd和Y中的至少一种)的煅烧粉末和(BiNa)TiO3的煅烧粉末的混合煅烧粉末而获得，其中所述半导体陶瓷组合物具有表示为下式的组成式，[(BiNa)x(Ba1?yRy)1?x]TiO3，其中x和y各自满足0＜x≤0.2和0＜y≤0.02，并且其中Bi与Na的比满足Bi/Na＝0.78至1的关系。

专利地区：日本