半导体薄膜、气体传感器及其制作方法专利登记公告

专利名称：半导体薄膜、气体传感器及其制作方法

摘要：一种半导体薄膜的制作方法，该方法包括以下步骤：使用溶剂配置半导体金属氧化物与聚合物的混合溶液；使混合溶液覆盖在传感器器件的敏感膜区域；将传感器器件真空干燥，从而在传感器器件敏感膜区域形成半导体薄膜。相应的，本发明还提供一种半导体薄膜和一种以上述薄膜作为敏感膜的传感器。所述传感器可以在室温下检测气体，响应和恢复时间短，选择性好，且制作方法简单，易操作，低成本，适合大批量生产。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210124842.9

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：李冬梅;刘明;谢常青;周文

主权项：一种半导体薄膜的制作方法，该方法包括以下步骤：a)使用溶剂配置半导体金属氧化物与聚合物的混合溶液；b)使混合溶液覆盖在传感器器件的敏感膜区域；c)将传感器器件真空干燥，从而在传感器器件敏感膜区域形成半导体薄膜。

专利地区：北京