四氧化三钴负极材料、非晶碳包覆四氧化三钴负极材料及其制备方法和应用专利登记公告

专利名称：四氧化三钴负极材料、非晶碳包覆四氧化三钴负极材料及其制备方法和应用

摘要：本发明公开了四氧化三钴负极材料或非晶碳包覆四氧化三钴负极材料的制备方法，包括：将导电金属基片置于含可溶性钴盐与六次甲基四胺的水溶液中，在80℃～150℃保温3h～12h，得到沉积有氢氧化钴薄膜的导电金属基片；将其在200℃～400℃煅烧1h～3h后得到四氧化三钴负极材料，浸入葡萄糖水溶液中，干燥后在300℃～500℃煅烧1h～8h，得到非晶碳包覆四氧化三钴负极材料，制备工艺简单，重现性好，易于实施，生产过程环保，成本低廉，有利于工业化生产。本发明还提供了四氧化三钴负极材料和非晶碳包覆四氧化三钴负极材料，容

专利类型：发明专利

专利号：CN201210129897.9

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：俞迎霞;王秀丽;涂江平;谷长栋

主权项：一种四氧化三钴负极材料的制备方法，包括以下步骤：1)将可溶性钴盐和六次甲基四胺溶于水中，得到含可溶性钴盐与六次甲基四胺的水溶液；2)将导电金属基片置于步骤1)中含可溶性钴盐与六次甲基四胺的水溶液中，在80℃～150℃保温3h～12h，得到沉积有氢氧化钴薄膜的导电金属基片；3)将步骤2)中沉积有氢氧化钴薄膜的导电金属基片在保护性气体下200℃～400℃煅烧1h～3h，得到四氧化三钴负极材料。

专利地区：浙江