一种多层垂直耦合InAsSb量子点隧道结激光器结构专利登记公告

专利名称：一种多层垂直耦合InAsSb量子点隧道结激光器结构

摘要：本发明提出了一种多层垂直耦合InAsSb量子点隧道结激光器结构，其基本思想是采用多层垂直耦合量子点作为隧道结，实现激光器的高效隧穿耦合，即通过多层垂直耦合量子点隧道结将两个或两个以上量子阱激光器串联起来。与采用薄层隧道结结构的激光器相比，多层垂直耦合量子点作为隧道结其效果在于多层耦合的量子点结构具有更高的耦合隧穿效率，可有效实现载流子的隧穿再生，并且减小隧道结带来的压降和电阻，提高隧道结的隧穿几率和光功率转换效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210131283.4

专利申请（专利权）人：长春理工大学

专利发明（设计）人：李占国;尤明慧;刘国军;欧仁侠;魏志鹏;高欣;李林;史丹;王勇;乔忠良;邓昀;王晓华;辛德胜;张剑家;曲轶;薄报学;马晓辉

主权项：一种多层垂直耦合InAsSb量子点隧道结激光器结构包括：n型GaSb衬底(1)；n型AlGaAsSb下限制层(2)；n型AlGaAsSb下波导层(3)；量子阱层InGaAsSb/AlGaAsSb(4)；p型AlGaAsSb上波导层(5)；p型AlGaAsSb上限制层(6)；多层耦合InAsSb量子点层(7)，其构成由5层InAsSb量子点(15)和GaAs(Sb)浸润层(14)组成；n型AlGaAsSb下限制层(8)；n型AlGaAsSb下波导层(9)；量子阱层InGaAsSb/AlGaAsSb(10)；

专利地区：吉林