一种晶闸管芯片的化学清洗方法专利登记公告

专利名称：一种晶闸管芯片的化学清洗方法

摘要：本发明涉及晶闸管生产工艺中原始硅片的化学清洗技术领域，特别涉及一种3000V以下晶闸管芯片的化学清洗方法，其特征在于，针对无机类污染物采用超声波+混合酸液的方法清洗，针对有机类污染物采用超声波+DZ-1电子清洗剂及混合氨液的两步清洗法。与现有技术相比，本发明的有益效果是：1)针对无机类污染物采用超声波+混合酸液的方法清洗，HF和HCL加强了清洗效果，减少超声时间，提高清洗效率；2)分别采用DZ-1电子清洗剂和混合氨液对有机类污染物进行两次清洗，由于采用了相对稀释的化学溶液，可以节约化药成本，整体工艺组合后

专利类型：发明专利

专利号：CN201210132152.8

专利申请（专利权）人：鞍山市联达电子有限公司

专利发明（设计）人：赵巍巍;高军;孙凤军;张金宇

主权项：一种晶闸管芯片的化学清洗方法，其特征在于，针对无机类污染物采用超声波+混合酸液的方法清洗，针对有机类污染物采用超声波+DZ?1电子清洗剂及混合氨液的两步清洗法，其具体操作步骤如下：1)将上架后的硅片放入装有DZ?1电子清洗剂的容器中，硅片没入DZ?1电子清洗剂中，超声清洗30?35分钟，超声波频率为2?5MHz，然后用去离子水冲洗干净；2)将步骤1)中冲洗干净的硅片放入容器中，向容器中倒入配制好的混合酸液一，超声清洗30?35分钟，然后用去离子水冲洗干净，所述混合酸液的配制体积比为HF∶HCL∶去离子水＝

专利地区：辽宁