一种MRI磁信号增强器件专利登记公告

专利名称：一种MRI磁信号增强器件

摘要：本发明通过设计一种具有负磁导率特性的MRI磁信号增强器件，并将MRI磁信号增强器件放置于待测部位与磁信号接收线圈之间，由于具有负磁导率的MRI磁信号增强器件能增强倏逝波的传播，因此，能有效地增强磁信号的接收，使磁信号接收线圈在距离设置和形状设计上具有更好的灵活性，并能增强MRI成像效果，为医学诊断提供更为准确的信息。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210133057.X

专利申请（专利权）人：深圳光启创新技术有限公司

专利发明（设计）人：刘若鹏;栾琳;郭洁;郭文鹏;杨学龙

主权项：一种MRI磁信号增强器件，设置在待测部位与MRI设备的磁信号接收线圈之间，用以增强磁信号成像效果，其特征在于：所述MRI磁信号增强器件包括由至少一层超材料层组成的超材料，所述超材料层包括介质基板和阵列在介质基板上的多个磁性微结构，所述磁性微结构为由一根螺绕线形成的螺绕开口谐振环，所述超材料具有负磁导率，所述超材料在负磁导率条件下的频率与MRI设备的磁信号工作频率相同。

专利地区：广东