一种MRI磁信号增强器件专利登记公告

专利名称：一种MRI磁信号增强器件

摘要：本发明提供一种MRI磁信号增强器件，该MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的至少一层负磁导率超材料，该负磁导率超材料为经过特殊设计的低频负磁导率超材料，当MRI磁信号增强器件中的负磁导率超材料在磁导率为负、谐振频率与MRI工作频率近似相同的情况下，负磁导率超材料与MRI成像设备的接收线圈产生响应，增强接收线圈的磁信号，进而增强MRI成像设备的成像质量，MRI成像设备的成像质量增强，能够使MRI成像设备的接收线圈不必紧靠待测部位，增加MRI成像设备使用的舒适性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210133094.0

专利申请（专利权）人：深圳光启创新技术有限公司

专利发明（设计）人：刘若鹏;栾琳;郭洁;余铨强

主权项：一种MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的至少一层负磁导率超材料，所述负磁导率超材料包括基板及多个周期性阵列排布在基板两侧面的第一人造微结构和第二人造微结构，所述第一人造微结构和第二人造微结构通过一个金属过孔相连，所述第一人造微结构和第二人造微结构均为方形螺绕环，所述方形螺绕环绕线圈数为4圈，所述第一人造微结构和第二人造微结构的尺寸为15mm×15mm，所述基板排布有所述第一人造微结构和第二人造微结构的两侧面垂直于MRI成像设备的磁信号接收线圈。

专利地区：广东