双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的制备方法专利登记公告

专利名称：双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的制备方法

摘要：本发明提供一种双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的制备方法。本发明中PMOSFET采用(110)表面晶向硅层，NMOSFET采用(100)表面晶向硅层。在低温剥离技术中，随着氢气的压力增大，裂缝更倾向于沿(100)晶向生长，因此沿(100)晶向更容易进行硅层剥离，方便了层转移工艺实现。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210133934.3

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：黄晓橹

主权项：一种双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的制备方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1：在SOI顶层先后形成SiGe层、Si层和SiGe层和SOI硅片上的沟道区N型离子注入：?步骤2：对器件进行光刻工艺，刻蚀形成鳍形有源区，去除鳍形有源区中的SiGe层，形成SiNWFET沟道的硅纳米线；?步骤3：在器件上沉积无定形碳层；?步骤4：对下层PMOS进行源漏区离子注入和退火，?步骤5：在SiNWFET沟道的硅纳米线上方的无定形碳层上进行光刻和选择性刻蚀形成栅极沟槽，所述栅极沟槽中暴露出硅纳米线；步骤

专利地区：上海