无损、快速、准确表征四面体非晶碳薄膜键态结构的方法专利登记公告

专利名称：无损、快速、准确表征四面体非晶碳薄膜键态结构的方法

摘要：本发明公开了一种无损、快速、准确表征ta-C膜键态结构的方法。首先，在石英或硅衬底上制备ta-C薄膜，然后利用紫外/可见/近红外分光光度计与光谱型椭偏仪分别测量ta-C薄膜的透射率T与椭偏参数Ψ和Δ，再以该参数为拟合参数，通过建立衬底层、ta-C薄膜层以及表面粗糙层的数学物理模型求解ta-C薄膜厚度df、折射率nf及消光系数kf，最后分别确定具有纯sp2C、纯sp3C键态的材料的光学常数，在EMA近似下采用Bruggeman算法拟合，即得到ta-C薄膜中化学键sp3/sp2的含量。与现有的表征方法相比，本

专利类型：发明专利

专利号：CN201210134732.0

专利申请（专利权）人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

专利发明（设计）人：汪爱英;李晓伟;孙丽丽;柯培玲

主权项：一种无损、快速、准确表征四面体非晶碳薄膜键态结构的方法，其特征是：首先，在石英或硅衬底上制备ta?C薄膜，制备完毕后利用紫外/可见/近红外分光光度计测量垂直入射时ta?C薄膜的透射率T；然后，采用光谱型椭偏仪，通过可变入射角椭偏光谱法进行键态结构的表征，具体包括如下步骤：步骤1：启动光谱型椭偏仪，将表面为ta?C薄膜的衬底加载在样品台上；步骤2：设定测量参数，对ta?C薄膜进行光学测量，得到椭偏参数Ψ和Δ；步骤3：将ta?C薄膜透射率T与步骤2得到的椭偏参数Ψ和Δ同时设定为拟合参数，建立衬底层、ta?C薄

专利地区：浙江