一种单轴磁各向异性薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种单轴磁各向异性薄膜的制备方法

摘要：本发明公开了一种单轴磁各向异性薄膜的制备方法。该方法选用具有各向异性热膨胀系数的衬底，将其安装在加热器上，加热器上安装温度传感器，使加热器、温度传感器构成闭环反馈回路，加热衬底至预设温度，使衬底受热膨胀或收缩，然后利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法在膨胀或收缩后的衬底上生长磁性薄膜，最后将衬底温度降至室温，使衬底收缩或膨胀，从而对磁性薄膜产生一定的压应力或张应力，得到单轴磁各向异性薄膜。与现有技术相比，本发明的制备方法结构设计简单巧妙、通过控制衬底温度的控制能够实现面内单轴磁各向异性可控的目的，具有良好的工

专利类型：发明专利

专利号：CN201210134865.8

专利申请（专利权）人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

专利发明（设计）人：刘宜伟;李润伟;詹清峰;彭姗姗;谢亚丽;左正笏

主权项：一种单轴磁各向异性薄膜的制备方法，其特征是：包括如下步骤：步骤1：将具有各向异性热膨胀系数的衬底放置在加热器上，所述的加热器上安装温度传感器；步骤2：通过加热器加热衬底，利用温度传感器监控该加热温度并将其反馈至加热器，使加热器、温度传感器构成闭环反馈回路，加热衬底至预设温度；步骤3：保持衬底温度为预设温度，利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法在热膨胀后的衬底上均匀生长磁性薄膜；步骤4：待磁性薄膜生长完毕，将衬底温度降至室温，即得到单轴磁各向异性薄膜。

专利地区：浙江