一种用于超级电容器的碳纳米电极材料的纯化方法专利登记公告

专利名称：一种用于超级电容器的碳纳米电极材料的纯化方法

摘要：本发明公开了属于材料纯化技术领域的一种用于超级电容器的碳纳米电极材料的纯化方法。该方法包括在液相中除去大部分杂质（无机氧化物载体、金属，金属硫化物，金属碳化物，或半导体元素或其碳化物），冷冻干燥，高温弱氧化性气体处理，在液相中再次除去残留杂质，冷冻干燥，高温惰性气体(或高温真空)中挥发除去残留的金属杂质或含氧、氮或磷的官能团等步骤。该方法可将碳纳米材料中的杂质总含量降低到5?mg/kg~0.01mg/kg以下，同时还能够保持用于超级电容器的碳纳米电极材料所需要的孔结构与堆积密度及导电性能等特征，具有易重复

专利类型：发明专利

专利号：CN201210135516.8

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：骞伟中;郑超;崔超婕;余云涛;孔垂岩;赵梦强;魏飞

主权项：一种用于超级电容器的碳纳米电极材料的纯化方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：（1）在液相中用酸或碱除去碳纳米电极材料的大部分无机氧化物、金属或其碳化物或硫化物、及半导体元素或其碳化物，处理时间为1小时~24小时。（2）将经步骤（1）处理后的碳纳米电极材料用去离子水洗涤3~5次后，冷冻干燥；（3）将经步骤（2）处理后的碳纳米电极材料置于不含金属的容器中，在高温弱氧化性气体中处理，使部分被碳包覆的无机氧化物、金属或其碳化物或硫化物、及半导体元素或其碳化物杂质外露；（4）在液相中用酸或碱再次除去上述杂质，处理

专利地区：北京