防止MOSFET对管的驱动保护电路专利登记公告

专利名称：防止MOSFET对管的驱动保护电路

摘要：一种适用于电动汽车电机控制器中MOSFET三相全桥的防止MOSFET对管的驱动保护电路，包括两路光电隔离器，其特殊之处是：在两路光电隔离器的输入端通过光电隔离器输入限流电阻分别接有逻辑门电路，在光电隔离器输出端和其电源端之间接有光电隔离器输出上拉电阻，在光电隔离器输出端还接有非门电路Ⅱ，逻辑门电路输入端、非门电路Ⅱ输出端分别为驱动信号输入端和驱动信号输出端，光电隔离器输入信号“0”时非门电路Ⅱ输出信号为“0”，该驱动保护电路结构简单、性能可靠、成本低，可防止MOSFET三相全桥驱动电路中上下桥同时导通、保

专利类型：发明专利

专利号：CN201210135800.5

专利申请（专利权）人：锦州海伯伦汽车电子有限公司

专利发明（设计）人：程英伟;李兴全;申彩英;伏思燕;李博

主权项：一种防止MOSFET对管的驱动保护电路，包括两路光电隔离器，其特征是：在两路光电隔离器的输入端通过光电隔离器输入限流电阻分别接有逻辑门电路，在光电隔离器输出端和其电源端之间接有光电隔离器输出上拉电阻，在光电隔离器输出端还接有非门电路Ⅱ，逻辑门电路输入端、非门电路Ⅱ输出端分别为驱动信号输入端和驱动信号输出端，光电隔离器输入信号?“0”时非门电路Ⅱ输出信号为“0”，当驱动输入信号为“0”、“0”时驱动输出信号为“0”、“0”，当驱动输入信号为“0”、“1”时驱动输出信号为“0”、“1”，?当驱动输入信号为“1

专利地区：辽宁