电纺法制备一维石墨烯/半导体纳米线复合光阳极的方法专利登记公告

专利名称：电纺法制备一维石墨烯/半导体纳米线复合光阳极的方法

摘要：电纺法制备一维石墨烯/半导体纳米线复合光阳极的方法，将氧化石墨烯乙醇溶液均匀掺杂与半导体纺丝溶液中，运用静电纺丝技术制备出掺杂有氧化石墨烯的半导体复合纤维结构，将上述结构置于惰性气体中高温烧结得到半导体石墨烯一维复合结构。将纳米线混在商业化的半导体颗粒中涂于导电玻璃表面，得到具有更高光生电流的复合光阳极结构。掺杂有石墨烯的半导体一维纳米线提高了纯光阳极的光生电流，且降低了界面电阻，对今后太阳能电池的发展具有长远的意义。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210136732.4

专利申请（专利权）人：东南大学

专利发明（设计）人：孙岳明;景尧;代云茜;何艺佳;王越明;凌丹丹

主权项：电纺法制备一维石墨烯/半导体纳米线复合光阳极的方法，其特征在于制备步骤为：a.配制半导体石墨烯复合纤维纺丝溶液：该纺丝液由高分子聚合物、半导体前躯体、氧化石墨烯乙醇溶液、溶剂和酸性添加剂组成；其中高分子聚合物在溶液体系中浓度为10?60mg/mL，半导体前躯体为：钛酸异丙酯、醋酸锌或乙酰丙酮铝，在溶液体系中的浓度为0.1?0.8g/mL，氧化石墨烯在溶液体系中浓度为0.01?0.12mg/mL，所述高分子聚合物为聚乙烯吡咯烷酮，溶剂为乙醇；酸性添加剂为冰醋酸，在体系中浓度为1?10mg/mL；b.采用静电

专利地区：江苏