一种高荧光性能的四元ZnCuInS₃量子点的制备方法专利登记公告

专利名称：一种高荧光性能的四元ZnCuInS₃量子点的制备方法

摘要：本发明涉及一种高荧光性能的四元ZnCuInS3的制备方法。首先制备Zn2+、Cu+、In3+阳离子前体溶液，在氩气保护下，将其从室温快速升温至180~240℃，快速注入S前体溶液，反应15~30min，移去热源自然冷却至室温，离心纯化即得到四元ZnCuInS3量子点。所得的四元ZnCuInS3量子点荧光性能好，其荧光发射峰位的范围为645~825nm，荧光量子产率为55~64%。本发明采用无毒廉价的前体原料，利用简单的热注射法，合成了一种不仅波长达825nm可近红外发光，而且荧光量子产率高达55~64%的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210137687.4

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：常津;董春红;郭伟圣

主权项：一种高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点的制备方法，其特征在于步骤如下：1）制备含有Zn2+、Cu+、In3+的阳离子前体溶液和S前体溶液；2）在氩气保护下，将步骤1）的Zn2+、Cu+、In3+阳离子前体溶液快速升温至180~240℃迅速注入S前体溶液，反应15~30min后，移去热源自然冷却至室温；3）离心纯化即得到四元ZnCuInS3量子点。

专利地区：天津