一种化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体的制备方法专利登记公告

专利名称：一种化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体的制备方法

摘要：本发明属于无机化学领域，涉及一种制备化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体的方法，特别涉及一种以聚二甲基硅烷为原料，采用热解、蒸馏的工艺制备化学液气相沉积工艺用液态SiC陶瓷先驱体的方法。本发明通过对聚二甲基硅烷在不同的温度下进行热解、分馏，制得沸点范围在100～200°C的SiC陶瓷先驱体。本发明制备的化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体具有常温下稳定，沸点低（200°C以下），流动性好且对环境无腐蚀，沉积效率高，裂解产物为近化学计量比的β-SiC，并且沉积和裂解过程中产生的副产物对环境无腐蚀无污染等优点

专利类型：发明专利

专利号：CN201210139332.9

专利申请（专利权）人：北京科技大学;中国人民解放军国防科学技术大学

专利发明（设计）人：何新波;梅敏;曲选辉;胡海峰;张玉娣;陈思安;李广德;张长瑞

主权项：一种化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体的制备方法，其特征在于：（1）聚二甲基硅烷的热解：将聚二甲基硅烷粉末置于装有冷凝管和接收装置的三口烧瓶中，在N2保护下加热到一定温度保温分解，最终得到液态的碳硅烷；其中保温温度为350～450°C，保温时间为0.5～10h；（2）碳硅烷的热解：首先将（1）中的液态的碳硅烷进行过滤，得到纯净的碳硅烷，然后将其置于常压反应釜中，在N2保护下加热到一定温度保温分解，最终得到液态的碳硅烷先驱体粗成品；其中保温温度为450～500°C，保温时间为1～20h；（3）液态碳硅烷先

专利地区：北京