一种自适应复合机制隧穿场效应晶体管及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种自适应复合机制隧穿场效应晶体管及其制备方法

摘要：本发明提供了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明的核心是：对于N型晶体管，掺杂源区在N-掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入P+，使得该注入部分原有的N-掺杂完全被补偿为P+；对于P型晶体管，掺杂源区在P-掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入N+，使得该注入部分原有的P-掺杂完全被补偿为N+。本发明器件结构采用源区两次不同浓度的掺杂注入，有效地结合了MOSFET导通电流大的特征，提高了器件的开态电流，且自适应地实现了该

专利类型：发明专利

专利号：CN201210139560.6

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：黄如;黄芊芊;詹瞻;邱颖鑫;王阳元

主权项：一种隧穿场效应晶体管，包括一个控制栅，一个栅介质层，一个半导体衬底，一个掺杂源区和一个掺杂漏区，掺杂源区和掺杂漏区分别位于控制栅的两侧，其特征在于，对于N型晶体管，掺杂源区在N?掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入P+，使得该注入部分原有的N?掺杂完全被补偿为P+，且P+掺杂区和有源区宽度方向的边缘有间距；对于P型晶体管，掺杂源区在P?掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入N+，使得该注入部分原有的P?掺杂完全被补偿为N+，且N+掺杂区和有源区宽度方向的边缘有间距。

专利地区：北京