基于单轴晶体的各向异性实现平板负折射成像的方法专利登记公告

专利名称：基于单轴晶体的各向异性实现平板负折射成像的方法

摘要：本发明提供了一种基于单轴晶体的各向异性实现平板负折射成像的方法，其特征在于利用单轴晶体具有负折射的本质特性，将四块尺寸相同，六个表面全部达到光学级抛光，沿光轴依次成-θ0、θ0、-θ0和θ0切角切割的单轴晶体矩形方块通过直接键合技术键合在一起，实现平板负折射成像。单轴晶体的负折射特性本质上是由于晶体折射率的各向异性所导致的。单轴晶体平板负折射成像的产生机制依赖于晶体的切角和双折射率的大小。本发明构建了一套推导单轴晶体实现平板负折射成像的折射率椭球理论，通过该理论可以确定合适的单轴晶体、晶体切角的大小以及实

专利类型：发明专利

专利号：CN201210140004.0

专利申请（专利权）人：郑州航空工业管理学院

专利发明（设计）人：杜银霄;袁秋林;徐培;麻华丽;张又林;曾凡光

主权项：一种基于单轴晶体的各向异性实现平板负折射成像的方法，其特征在于利用单轴晶体具有负折射的本质特性，将四块沿光轴成一定切角切割的单轴晶体矩形方块通过直接键合（Direct?bonding）技术键合在一起，实现平板负折射成像。

专利地区：河南