采用CMOS工艺实现的射频功率放大器专利登记公告

专利名称：采用CMOS工艺实现的射频功率放大器

摘要：本发明涉及一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括三个CMOS晶体管和三个级联的反向器；晶体管一源极接晶体管二漏极，晶体管二源极接晶体管三漏极，晶体管二源极接地。晶体管一、晶体管二栅极分别接直流电压源。反向器三输出端与晶体管三的栅极连接，用于驱动晶体管三；反向器一的输入端作为功率放大器输入端连接射频信号。CMOS晶体管一漏极作为功率放大器输出端，该端通过电感接直流电压VDD。本发明采用全CMOS工艺实现手机射频前端功放电路，在保证性能的前提下，使手机射频前端芯片的成本降低50%以上；并提高射频前端功

专利类型：发明专利

专利号：CN201210140694.X

专利申请（专利权）人：惠州市正源微电子有限公司

专利发明（设计）人：田为中

主权项：一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，包括：源极、漏极依次相连的CMOS晶体管一、CMOS晶体管二、CMOS晶体管三，晶体管三源极接地；?三个级联的反向器，所述反向器三输出端与CMOS晶体管三的栅极连接，用于驱动CMOS晶体管三；反向器一的输入端作为功率放大器输入端接入射频信号；?CMOS晶体管一、CMOS晶体管二栅极分别接直流电压源；CMOS晶体管一漏极作为功率放大器输出端，该端通过电感接直流电压VDD。

专利地区：广东