缓冲基板、缓冲片及缓冲基板的制造方法专利登记公告

专利名称：缓冲基板、缓冲片及缓冲基板的制造方法

摘要：本发明涉及一种缓冲基板，包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一基板，所述第一基板具有一个或多个形成在其中的通孔；第一弹性材料部件，填充所述通孔并且覆盖所述第一基板的所述第二表面；以及第二基板，设置在第一弹性材料部件上，第一弹性材料部件设置在第一基板的第二表面上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210142314.6

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：李圭远

主权项：一种缓冲基板，包括：第一基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第一基板具有一个或多个形成在其中的通孔；第一弹性材料部件，填充所述通孔并且覆盖所述第一基板的所述第二表面；以及第二基板，设置在所述第一弹性材料部件上，所述第一弹性部件设置在所述第一基板的所述第二表面上。

专利地区：韩国