一种光学性能可控的量子点的制备方法专利登记公告

专利名称：一种光学性能可控的量子点的制备方法

摘要：一种光学性能可控的量子点的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。首先采用水溶液合成法制得CdTe量子点，并对其进行醇化洗涤，然后采用离子交换法，将制备的CdTe量子点和硫化盐溶液在低温反应回流，所制备量子点的紫外吸收和荧光发射峰位置都发生蓝移，而在高温条件下所制备量子点的紫外吸收和荧光发射峰位置都发生红移，在50℃条件下所制备量子点的紫外吸收和荧光发射峰位置都基本不变。量子点的荧光量子产率与原CdTe相比有提高。该方法操作简便，原料价廉易得，能够实现对合成量子点的光学性能的任意调控，使其在荧光探针、发

专利类型：发明专利

专利号：CN201210142385.6

专利申请（专利权）人：北京化工大学

专利发明（设计）人：贾建光;李静

主权项：一种光学性能可控的量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将镉盐与巯基羧酸的混合水溶液，用NaOH调节pH至11.2?11.8，在N2保护下将碲源H2Te通入溶液，得到前驱体溶液，其中镉盐∶碲源∶巯基羧酸=2∶1∶4.8，其中镉盐浓度为0.002mol/L，前驱体溶液在100℃下回流3h，得到CdTe量子点原溶液；为了除去溶液中过量的Cd2+，用无水乙醇将CdTe原液进行醇洗、干燥、重新溶解于水；（2）用NaOH调节醇化洗涤后的CdTe量子点溶液至pH=10，然后与可溶性硫化盐（如Na2S）溶液

专利地区：北京