光刻对准参数预测方法以及光刻方法专利登记公告

专利名称：光刻对准参数预测方法以及光刻方法

摘要：本发明提供了一种光刻对准参数预测方法以及光刻方法。获取同一产品的相对于当前层次相似的的其它层次在该机器上的光刻对准参数的第一加权平均值及第一预测准确度参数。获取与当前产品相同技术平台的其他产品相同层次在该机器上的光刻对准参数的第二加权平均值及第二预测准确度参数。获取该机器的光刻对准日常监测的结果值及第三预测准确度参数。如果第一预测准确度参数低于给定的阈值，则将光刻对准值设定为等于：(第一加权平均值×第一预测准确度参数+第二加权平均值×(1-第一预测准确度参数)×第二预测准确度参数)/(第一预测准确度参数+

专利类型：发明专利

专利号：CN201210142948.1

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：陈蕾;胡林;鲍晔;周孟兴

主权项：一种光刻对准参数预测方法，其特征在于包括：获取同一产品的相对于当前层次相似的其它层次在该机器上的光刻对准参数的第一加权平均值及第一预测准确度参数；获取与当前产品相同技术平台的其他产品相同层次在该机器上的光刻对准参数的第二加权平均值及第二预测准确度参数；获取该机器的光刻对准日常监测的结果值及第三预测准确度参数；以及如果当前预测的新产品层次不需要量测光刻对准值，则将光刻对准值直接赋值为0。

专利地区：上海